Project

.
.
Plasmonic light trapping for highly efficient thin films solar cells
Project title: Plasmonic light trapping for highly efficient thin films solar cells
Number of project implementation agreement: 4749
Registration number: 4749
Department: Semiconductor Physics Research Laboratory
Administrating department: Semiconductor Physics Research Laboratory
Finance fund: Latvijas Republikas Izglītības un zinātnes ministrijas un Ukrainas Izglītības un zinātnes ministrijas kopīgās sadarbības programmas zinātnes un tehnoloģiju jomā
Project RTU role: leading partner
Status: Ended
Project start date: 01.03.2023.
Project end date: 31.12.2023.
Title of grant issuer: Latvijas Zinātnes padome
General manager: Jevgenijs Kaupužs
Administrative manager: Jevgenijs Kaupužs
Total finance:
20 000.00
Summary:

Šī projekta galvenais mērķis ir plāno kārtiņu fotoelektrisko pārveidotāju, kuru pamatā ir plazmoniska gaismas uztveršana ar stipri leģētiem silīcija nanokristāliem un metāla nanokristāliem, izpēte un izstrāde, kā arī ļoti efektīvu un lētu saules bateriju radīšana. Galvenās šī projekta oriģinālās idejas un raksturīgās iezīmes ir: 1) lētu Al un/vai Cu metāla nanokristālu izmantošana tradicionāli plazmonikā lietoto Au un Ag nanokristālu vietā, kas ir ļoti svarīgi saules bateriju vērienīgai ražošanai; 2) stipri leģētu silīcija nanokristālu izmantošana, lai palielinātu saules spektra infrasarkanās daļas absorbciju, realizējot lokalizētu virsmas plazmonu rezonansi; 3) SiOx(Si, Me), SixOyNz(Si, Me) nanokompozītu plēvīšu, kas satur silīcija un metāla nanokristālus oksīda un oksinitrīda matricās, pretatstarojošu un gaismu uztverošu pārklājumu izmantošana, kas nodrošinās vienlaicīgu plazmonisku un dielektrisku gaismas uztveršanu; 4) impulsu lāzertehnoloģiju izmantošana, lai novērstu tradicionālajai izotermiskajai sildīšanai raksturīgo ultraplāno slāņu robežu izplūšanu.

Activities:
Projekta laikā tiks īstenotas sekojošas aktivitātes:
1. Tiks modelēta gaismas izkliede uz metāla nanodaļiņām uz silīcija pamatnes virsmas atkarībā no nanodaļiņu izmēra;
2. Tiks modelēta gaismas izkliede uz metāla nanodaļiņām uz silīcija pamatnes virsmas atkarībā no nanodaļiņu virsmas koncentrācijas;
3. Tiks modelēta gaismas izkliede uz metāla nanodaļiņām uz silīcija pamatnes virsmas atkarībā no to attāluma līdz virsmai;
4. Tiks pētītas SiOx(Si) plēvīšu optiskās īpašības;
5. Tiks pētīti fāžu pārveidošanās procesi (no amorfas uz kristālisku fāzi) SiOx(Si) plēvītēs lāzera starojuma ietekmē;
6. Tiks pētītas SixOyNz(Si) plēvīšu optiskās īpašības;
7. Tiks pētīti fāžu pārveidošanās procesi (no amorfas uz kristālisku fāzi) SixOyNz(Si) plēvītēs lāzera starojuma ietekmē;
8. Tiks pētīta lāzera starojuma mijiedarbība ar plānu Al plēvīti, lai izveidotu Al nanokristālus.
Partners:
  • V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, National Academy of Sciences of Ukraine
Project published on RTU website: 01.03.2023.

University